利用相位谱方法解析光生电荷属性

本项目主要研究内容是制备系列的半导体纳米功能材料，利用光生电荷相位谱技术研究这些功能材料光生电荷的性质，结合其它的测量方法，实现纳米半导体材料光生电荷属性的全面解析，对目前国外已提出的相位谱解析方法进行理解、消化。在此基础上，结合纳米半导体材料和光化学的特点，不断完善解析方法。同时，将外电场调制和入射光调制频率调控技术与光生电荷相位谱相结合，系统研究外电场调制和入射光调制频率对相位谱的影响。利用这些变化来解析光生电荷的定域性，解读束缚激子的性质，判断电荷扩散方向等，在大量工作的基础上，提出创新的光生电荷属性的解析方法，建立相关理论。在系统的光生电荷属性研究和光电活性研究的基础上，探索光生电荷属性与光电活性之间的关系，总结规律，完善研究内容，提出相应的理论模型。