本项目主要研究内容是制备系列的半导体纳米功能材料,利用光生电荷相位谱技术研究这些功能材料光生电荷的性质,结合其它的测量方法,实现纳米半导体材料光生电荷属性的全面解析,对目前国外已提出的相位谱解析方法进行理解、消化。在此基础上,结合纳米半导体材料和光化学的特点,不断完善解析方法。同时,将外电场调制和入射光调制频率调控技术与光生电荷相位谱相结合,系统研究外电场调制和入射光调制频率对相位谱的影响。利用这些变化来解析光生电荷的定域性,解读束缚激子的性质,判断电荷扩散方向等,在大量工作的基础上,提出创新的光生电荷属性的解析方法,建立相关理论。在系统的光生电荷属性研究和光电活性研究的基础上,探索光生电荷属性与光电活性之间的关系,总结规律,完善研究内容,提出相应的理论模型。
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数据更新时间:2023-05-31
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