磁性随机存储器(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)作为下一代非易失性存储器主流方向,已成为国际上的研究热点。目前对于记录单元均匀性及一致性的研究已成为其实用化亟待解决的难题。因此本项目首先旨在弄清自旋向上和自旋向下电子在MRAM记录单元中的输运和散射机理,通过对铁磁金属/顺磁金属、铁磁金属/反铁磁金属核心结构的建模分析,找到提高记录单元一致性的有效方法,并获得相关的机理结论;其次,通过有限元法的建模弄清记录单元形状对存储稳定性的影响,找到最适宜记录的单元形状,并通过实验进行验证;最后,在理论工作的指导下,采用RF/DC混合镀膜工艺,通过引入有效缓冲层及界面控制技术,对单元微结构、表面形貌、磁阻性能进行细致的研究,获取提升存储密度、单元均匀性的有效方法,为解决记录单元均匀性及一致性奠定一定的理论及实验基础。
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数据更新时间:2023-05-31
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
具有随机多跳时变时延的多航天器协同编队姿态一致性
“阶跃式”滑坡突变预测与核心因子提取的平衡集成树模型
相关系数SVD增强随机共振的单向阀故障诊断
基于PROSAIL模型和多角度遥感数据的森林叶面积指数反演
含周期性单元的隐身材料结构布拉格衍射控制及宽带隐身机理与应用研究
芯层及界面非均匀性对泡沫金属复合结构冲击力学行为影响的研究
竹材单元自生胶合过程控制及胶合机理研究
旋转摩擦焊接头界面结构不均匀特征与力学性能的相关性研究