等离子体显示器二次MgO颗粒膜制备及其特性研究

介质保护膜可降低等离子体显示器（PDP）功耗、减小放电时间延迟以及延长使用寿命，因而研究性能优异介质保护膜具有重要的现实意义。目前介质保护膜的研究主要集中在对MgO掺杂复合改性上，而对在MgO介质保护膜上沉积二次MgO颗粒膜电子发射层的研究较少，尤其是研究二次MgO颗粒膜电子发射层/掺杂MgO介质保护膜复合膜系的研究尚未见报道，同时考虑到老炼对二次MgO颗粒膜电子发射层/掺杂MgO介质保护膜复合膜系光电特性的研究具有重要的科学意义。因而本项目采用自反应技术在MgO介质保护膜上制备二次MgO颗粒膜电子发射层并优化制备参数，研究其对微观结构以及对光电特性的影响机理；同时研究老炼对二次MgO颗粒膜电子发射层微观结构与光电特性的影响，阐述老炼影响其光电特性的机制。本项目的完成将为二次MgO颗粒膜电子发射膜在工业应用提供理论与技术支持。

介质保护膜可降低等离子体显示器（PDP）功耗、减小放电时间延迟以及延长使用寿命，因而研究性能优异介质保护膜具有重要的现实意义。提高介质保护的方法有多种，一方面通过掺杂元素改善介质保护膜是目前一种有效的手段，另一方面通过复合MgO颗粒或ZnO纳米的MgO介质保护膜，改善介质保护膜的放电特性尚处于研究阶段。本研究针对掺杂Ca的MgO介质保护膜的放电延迟特性和寿命，掺杂Ag的介质保护膜的放电特性，寻找优化掺杂介质保护膜性能的最佳工艺，同时还研究了二次MgO 颗粒膜电子发射层的放电延迟特性和ZnO纳米线复合MgO介质保护膜的放电特性，探索寻找新型的介质保护膜。研究表明，增加掺杂Ca的MgO介质保护膜的退火温度可以有效提高亮度，而增加沉积膜过程中的氧气流量则会导致透过率降低；在MgO介质保护膜中掺入良好的电子发射体Ag后，当掺杂Ag含量在2.98 at.%时，介质保护膜表面具有均匀的富Ag颗粒析出，能够有效的降低薄膜的着火电压和维持电压，有利于降低PDP的功耗；二次MgO颗粒复合的介质保护膜，具有更低的放电延迟；ZnO纳米线上制备的MgO介质保护膜，由于表面粗糙度的增大，有效降低了着火电压和放电电压，有利于降低PDP的功耗。