极紫外光刻技术(EUVL)被认为是下一代光刻技术的最主要候选技术,EUV光源是EUVL的关键技术之一。近年来该领域的研究与发展趋势表明采用CO2激光等离子体作为EUV光源已经显示出巨大优势,可能是将来EUVL设备的最佳光源。项目针对EUVL设备需要的高转换效率、窄带宽、低碎屑和长寿命等需求,在国内提出采用脉冲CO2激光驱动Sn等离子体获得高转换效率、低碎屑EUV光源的方案。通过数值模拟与理论分析,深入理解CO2激光驱动等离子体辐射EUV的物理机制,优化实验参数与靶的设计,实现13.5nm处2%带宽高转换效率、高清洁度EUV光源输出。项目的开展将有助于我国在EUVL研究领域取得自主知识产权的成果并赶上国际同期水平。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
PI3K-AKT-mTOR通路对骨肉瘤细胞顺铂耐药性的影响及其机制
极地微藻对极端环境的适应机制研究进展
基于MPE局部保持投影与ELM的螺旋锥齿轮故障诊断
FECR超导离子源磁体六极模拟线圈的Mirror结构设计及测试
金属锆织构的标准极图计算及分析
双脉冲CO2激光液滴Sn靶等离子体与EUV辐射特性的研究
相对论飞秒强激光驱动的阿秒脉冲光源产生及其优化
全光纤直接位相调制啁啾脉冲激光源
超短超强激光驱动的高亮度Betatron辐射光源