InAlN/GaN无应变新异质结场效应晶体管材料研究

InAlN/GaN异质结材料是制备无应变和高电流密度场效应晶体管的理想材料，是目前国际上高频大功率晶体管应用材料的研究热点。本项目选择17%In组分InAlN材料关键技术为突破口，开展高质量InAlN/GaN异质结场效应晶体管材料生长技术的研究。通过理论分析模拟，MOCVD工艺研究，XRD、PL、Hall、TEM、AFM等分析手段，掌握InAlN生长模型和生长机理，获得高质量的InAlN外延层；进而分析InAlN/GaN异质结材料极化效应原理，分析影响二维电子气的因素，获得二维电子气浓度和迁移率高、电流密度大、电流崩塌小的InAlN/GaN新颖异质结场效应晶体管材料结构，并能经过器件制作工艺验证。