新型硼酸盐电光晶体材料生长及性能研究

现代材料加工工业、军事、医疗等应用常需要高峰值功率、短脉冲、高平均功率的激光光源。利用电光晶体实现快速光开关是获得短脉冲激光的最简单有效的方法。目前还不存在能同时满足调制电压低且高抗光损伤电光晶体，随着高功率激光器半导体泵浦全固态激光器的快速发展，为获得更高的峰值功率，更短的激光脉冲，急需能耐受数十GW/cm2甚至更高激光功率的优秀电光调制晶体。本申请的目标是：发现与BBO相比具有更大的电光系数且相近的光损伤阈值的新型电光晶体。我们提出探索新型电光晶体的新思路，选择生长Ba4Ga2B4O9Cl2oNaCl和RbNbB2O6这两种晶体，结合实验合成，表征，争取在抗光损伤的电光调制晶体中取得突破，获得至少一种与BBO抗光损伤能力接近而电－光系数接近KDP晶体的新型电光调制晶体。