半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究

随着以III族氮化物为代表的第三代半导体材料技术的突破，基于III族氮化物材料的发光二极管（LED）迅速商业化，为了进一步改进材料性能和探索材料新结构的制备方法，有必要加强与材料相关的基础性问题的研究。这项研究以蓝宝石为衬底利用小面控制外延侧向生长技术实现（11-22）取向的半极性小面InGaN量子阱结构,通过优化生长条件，改善小面量子阱的发光效率。利用时间分辨和微光致发光谱揭示小面量子阱结构内的载流子复合发光行为。研究小面InGaN量子阱结构组分、阱宽、减弱的内电场对其发光性质的影响，阐述量子阱内的缺陷（如位错）和发光机理之间的关系。利用阱宽和铟组分在小面上的起伏变化和不同组分的小面量子阱结构的重叠，实现发光波长剪裁和多色光合成，为将来实现多色光LED提供实验基础。