锗硅量子点分子的耦合效应研究

半导体量子点(也称为"人造原子")是一种新型的半导体低维结构。当两个量子点互相接近时,将产生耦合效应，形成"人造分子"。这种量子点分子不仅可以用来研究许多基本物理性质，而且还可用于量子信息的存储，因此对它的研究，无论是在物理基础研究方面还是在实际应用上都具有非常重要的意义。本项目将采用分子束外延技术，利用自组织方法制备锗硅量子点分子。研究控制量子点的尺寸、间距的方法与途径,选择合适的工艺以制备出双能级系统的锗硅量子点分子。用导纳谱研究锗硅量子点分子的偶合效应，研究其随量子点的尺寸与间距的变化关系，以及量子点的组份与应变对其的影响。研究量子点分子的偶合效应随外加磁场、电场及温度的变化关系。用深能级瞬态谱研究二个量子点之间的隧穿效应，研究载流子从一个量子点隧穿进另一个量子点所需时间及其随量子点间距的变化关系。预期通过本项目的研究，将揭示锗硅量子点分子的基本特性，并为它的实际应用提供理论指导。