全光控制的LiNbO3基As2S8非晶态半导体波导突触耦合效应研究

为了解决光学仿神经元的联想记忆负值表现问题，项目提出一种新的集成光学构造和动作原理，采用LiNbO3基As2S8非晶态半导体波导耦合回路结构，利用光阻断效应、光触发电光效应和光猝息效应的组合作用以及波导分布耦合器的选择性耦合，实现同基集成全光控制、高速响应的突触权重的负值、正值和零值功能。项目围绕这个课题，在理论和设计方法、制备工艺方法、单项效应和机理、样品试制技术和组合效应的实现方法等五个方面展开应用基础研究。