强磁场下制备MgB2新型超导体的研究

基本信息
批准号:50472063
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:马衍伟
学科分类:
依托单位:中国科学院电工研究所
批准年份:2004
结题年份:2005
起止时间:2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李晓航,王子凯,张京业,赵慧元,杜晓纪
关键词:
临界电流密度MgB2强磁场热处理
结项摘要

MgB2作为一种新型超导材料深受关注,且发展迅速。当前,对MgB2超导体制备技术的研究主要是使用固态反应法制备块材、粉末装管法制备带材。除此以外的新的研究方法, 尤其是利用强磁场的开发研究还是空白。在强磁场这一极端条件下,存在着新的科学机遇,可望新现象和新效应的发现。本项目以强磁场为主要手段,利用MgB2晶体的各向异性在强磁场中对MgB2进行热处理取向,提高超导芯密度,改善晶粒的连接性,努力提高MgB2的临界电流密度;重点研究强磁场对MgB2超导体结构、组织及超导性能的影响。通过本课题的研究,为MgB2实用化线带材的研制奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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