用于全光缓存的硅基光子晶体慢光结构研究

慢光技术是实现光缓存的一个重要途径，给基于光分组交换的全光网带来了突破的希望。硅基光子晶体慢光结构具有室温工作、体积小、集成度高、对通信频段的光透明等特点，是最有潜力的光缓存技术基础。本申请研究光场在光子晶体慢光波导中的限制机理和传播特性，探索单模条件。重点针对慢光波导的损耗、延时与带宽等关键问题展开深入研究。研究硅基光子晶体慢光波导的传输损耗和耦合损耗的机理，通过改善工艺条件减小传输损耗，在输入、输出端设计特殊的模斑变换结构以减小耦合损耗。设计色散管理方案，在保证低群速度的前提下对光子晶体慢光波导进行分段色散补偿，以增加延时-带宽积。研究SOI光子晶体慢光波导的CMOS兼容制备工艺，探索一套高效稳定的工艺流程和工艺条件，实际制作出低损耗、长延时、大带宽的慢光波导样品。通过理论和实验研究，探索其在全光缓存中的应用。