塑料基底上高度有序生长六噻吩薄膜及界面性质

基本信息
批准号:20576141
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:陈振兴
学科分类:
依托单位:中南大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:陈振兴,叶华,杜琨,邹齐,刘辉
关键词:
有序生长薄膜六噻吩自组装单层膜界面
结项摘要

本申请以高迁移率、柔性和低成本的有机薄膜晶体管(OTFT)为牵引。研究旋转涂布的PVP塑料表面OTS、FDTS自组装单层膜的适宜生长条件,以形成表面光滑、低能并具有一定晶格结构的基底。通过真空蒸发沉积分子高度有序排列、晶区大的六噻吩薄膜,使导电通道基本由单晶构成,且分子均以微倾方式排列,从而显著提高迁移率。拟深入研究三个关键性科学问题,一是改性PVP塑料表面六噻吩薄膜的晶格常数、晶体结构及生长模式,二是改性PVP塑料表面六噻吩薄膜的带隙结构,三是高度有序排列六噻吩/改性PVP异质结构与晶体管迁移率的构效关系。通过本项目研究,有望揭示改性PVP塑料表面六噻吩薄膜的晶格常数、晶体结构和生长模式,六噻吩/改性PVP界面电子相互作用引起的带隙结构变化,以及高度有序六噻吩/改性PVP异质结构与载流子迁移率的构效关系,为高迁移率柔性OTFT提供技术基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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