典型绝缘结构中纳秒级放电机理研究
基本信息
批准号：50077014
项目类别：面上项目
资助金额：22.00
负责人：成永红
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郑晓泉,于钦学,高乃奎,孙建荣,乐波,蒋雁,卢伟胜
关键词：
老化特征纳秒级放电绝缘结构
结项摘要
采用多种超宽频带局部放电检测技术并结合空间电荷动态测量、绝缘结构微观分析，研究典型绝缘结构中纳秒级单次放电规律，研究典型绝缘结构多因子老化过程中纳秒级放电电流时域频域特性的变化规律与绝缘内部微观结构的变化及剩余寿命的关系，认识纳秒级放电机理。本研究有助于促进绝缘诊断理论的发展，对提高绝缘诊断的准确性和可靠性具有重要意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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