研究LP-MOCVD生长自组装量子点的岛化位置及岛化机理;优化LP-MOVPE在InP衬底上生じ呙芏取⒊叽缇取⒎植接行虻腎nAs自组装量子点工艺和掺杂技术;通过CAD模拟设计InAs/InP量子点激光器结构及激光器制备工艺;制备出室温连续、低阈值1.5um室温激射的InAs/InP自组装量子点激光器。
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数据更新时间:2023-05-31
基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器
武功山山地草甸主要群落类型高光谱特征
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基于特征区域划分的文物碎片自动匹配算法
1.55微米InP基InGaAsP量子阱-InAs量子点耦合激光器研究
1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器的研究
基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件