单分散Ⅲ-Ⅴ半导体量子点胶体合成及其物性调控研究

内容：（1）在传统的胶体合成基础上，开发一种单分散超均匀尺寸分布Ⅲ-Ⅴ半导体胶体量子点的"绿色"化学合成方法；（2）借助透射电子显微镜和原子力显微镜等现代微观分析手段，研究所合成的Ⅲ-Ⅴ胶体量子点的表面形貌特征，弄清其形状演化的基本规律；（3）利用电子转移方法完成Ⅲ-Ⅴ胶体量子点的n-型和p-型掺杂；（4）系统研究Ⅲ-Ⅴ胶体量子点的光学特性、电学特性及光谱特性，揭示量子束缚效应的本质，建立量子点尺寸与物性之间的定量规律，调控物性；（5）实现单分散超均匀尺寸分布Ⅲ-Ⅴ胶体量子点的界面分子组装与表面图案化。.意义：通过化学、物理学、半导体科学和材料科学交叉，把超分子化学和量子点制备结合起来，以超分子化合物为前驱物，用分子设计思想合成性能优良的单分散Ⅲ-Ⅴ胶体量子点，明显减小量子点尺寸及其涨落，增大量子点面密度；提高化合物半导体量子点性能和合成产率，具有突出的科学意义和显著的经济效益。