大直径硅晶体低损伤精密切片新技术及机理研究

IC制造业即将全面采用300mm以上的大直径硅片，而硅晶体切片是芯片制造中必不可少的工艺。本项目针对大直径硅晶体切片技术中目前存在的问题，提出环形电镀金刚石线锯高速精密低损伤切片新技术；研制环形电镀金刚石锯丝及锯切工艺系统，建立环形电镀金刚石线锯切割硅晶体的综合理论模型，揭示金刚石线锯对硅晶体切片的切屑形成和材料去除机理；分析工艺参数对硅晶体切片的面形精度和表面层质量的影响规律，建立电镀金刚石线锯对硅晶体高效精密切片工艺的应用基础理论，实现无损伤或低损伤高速切片新工艺；通过理论与实验研究，建立高效精密切片技术装备原型机及优化的工艺参数，为高效、低成本、高质量、高出品率的大直径硅晶体精密切片提供具有自主知识产权的理论与应用技术。同时，本项目的研究结果还可以推广到所有贵重硬脆材料的切割加工，因此具有十分广阔的应用前景。