重离子微束研究航天电子器件单粒子效应机制

基本信息
批准号:10375097
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:郭刚
学科分类:
依托单位:中国原子能科学研究院
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:许谨诚,陈泉,沈东军,惠宁,陈雨生,周辉,郭红霞,耿增建,苏秀娣
关键词:
重离子微束单粒子效应抗辐射加固
结项摘要

大和超大规模集成电路的加固是卫星抗辐射加固的基础.采用束流直径与芯片工艺水平相当的重离子微束研究单粒子效应的微观机制是地面模拟研究中最有效的手段之一.它可确定芯片不同区域的敏感度;确定电荷产生、放大和收集的机制,详细给出易损单元的位置分布、尺寸、其与材料和工艺等参数的定量关系,对提高国产加固芯片抗单粒子容限具有重要意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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