碳化硅单晶生长中源材料特性控制及对晶体生长速率、缺陷形成的影响
基本信息
批准号：50672073
项目类别：面上项目
资助金额：29.00
负责人：高积强
学科分类：
依托单位：西安交通大学
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘军林,程基宽,王波,杨军,蒋仙,罗明
关键词：
碳化硅单晶源材料生长速率缺陷
结项摘要
SiC单晶的宽带隙、高热传导率、高击穿电压和高电子饱和速率等性能，使其成为制造大功率、高频及高温强辐射环境下工作器件的主要材料。低缺陷密度、大尺寸SiC单晶的制备是目前研究的热点。碳化硅单晶生长过程中碳源活性的变化以及Si分压的变化，直接影响单晶生长质量和生长速率，而盖板材质与几何形状则与籽晶周围多晶成核与长大有直接关系。本项目研究碳源活性在PVT过程中随空间位置与时间的变化，进而探讨碳源类型、显
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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