分子型二次离子SIMS定量分析的研究

主要研究了分子型二次离子MCs（+），MCs（－），MAs的行为及其在Si掺杂的GaAs，AlGaAs，InGaAs的杂质与组分定量分析中应用。还研究了将MCs用于界面分析。重要的创造性结果有：1，国际上通常认为二次Cs（+）的离化率为100%，我们提出了一个测量二次Cs（+）的离化率的方法，测表量表明离化率随材质不同而不同：如GaAs 0.85Al0.3Ga0.7As0.80,Si0.31。2、成功的建立了四极型MCs（+）-SIMS AlxGa1-x As的组分定量分析方法。定量分析精度小于20%，达到国际先进水平。3、采用AsSi测量GaAs中（29）Si的检测限接近国际最佳值。4、创造性地应用MCs（+）-SIMS技术建立了AlGaAs/GaAs多层膜的无标样深度方法。5、应用MCs（+）-SIMS技术研究金属陶瓷界面。发表论文18篇其中7篇在国外刊物上发表。