基于单根掺杂SiC纳米结构的场效应晶体管电学特性研究

本课题拟采用有机前驱体热解合成掺杂SiC纳米结构，通过镀膜、光刻和刻蚀等工艺制备金属电极对，利用纳米机械手操控纳米结构，设计和组装基于单根掺杂SiC纳米线的场效应晶体管。项目将系统检测和分析SiC纳米场效应管的电学特性，阐明不同掺杂类型和掺杂浓度对纳米场效应管性能的影响及其相互关系，有望通过对材料的设计与调控，实现对纳米场效应管性能的设计和优化，制备出性能优异的纳米场效应晶体管器件。本项目是申请人博士论文基础上的延伸和拓展，也是课题组长远研究目标的一部分，相关工作将为SiC纳米场效应晶体管的潜在应用提供一定的基础数据和关键技术。

随着技术的发展和芯片集成度的提高，半导体科技已发展到目前大规模的纳米技术时代。预计到2015 年，全球半导体产业将由当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。因此，基于一维纳米结构的器件研发成为了当前全球科技的研究热点和焦点之一，有望为半导体器件研发取得突破性进展带来契机。.在国家自然科学基金的资助下，经过3年的研究工作，本课题在SiC纳米结构的场效应晶体管电学特性的研究上取得了较好的进展和成果。项目实现了SiC低维纳米材料的n和p型可控掺杂及其形貌的精细控制，以此为基础，通过镀膜、光刻和刻蚀等工艺制备金属电极对，利用纳米机械手操控纳米结构，设计和组装出了基于n和p型掺杂SiC纳米线的场效应晶体管，对其载流子迁移率、阈值电压、开关比及其幅频特性等性能电学特性进行了系统检测和分析，为基于SiC纳米结构的新颖而高效的场效应晶体管的研发提供了一定的关键技术和基础数据。.课题进展3年来，已在国际知名期刊上发表SCI收录论文12篇(其中影响因子大于3的11篇)，参加国际会议2人次，申请国家发明专利2项，较好地完成了项目各项指标(原申请书主要指标：发表SCI收录论文10篇以上，申请国家发明专利1项)。