研究用LB膜热解法制备SiC单晶薄膜

本项研究通过改性、拓展用以诠释晶界、三叉晶界结构的O-Lattice模型，建立了晶界统计表征为基础、以晶间脆性控制为内容的织构材料晶界设计的定量研究方法；运用渗流理论描述晶界空间连接特性。并提出裂纹扩展路径相关长度的概念，模拟研究了单轴拉应力作用下晶间断裂的倾向性；分别采用单辊快凝法、异步轧薄结合CVD新工艺制出具有不同织构类型特征的Fe-6.5%Si薄带（板），从微观层次揭示了组织结构与工艺参数和性能之间的关系，为利用晶界设计和织构控制发展高性能软磁材料开辟了一有效途径。上述工作发表学术论文20篇（含国际会议特邀报告2篇），其中SCI收录4篇，EI收录3篇，获得国家教育部科技进步二等奖1项。