MgxZn1-xO薄膜材料制备及紫外探测性能研究

日盲区（200～300nm）紫外探测器在导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测以及医疗等领域具有广泛的应用前景。MgxZn1-xO是一种宽带隙半导体材料，随Mg组分的变化其带隙在3.3～7.8ev之间连续变化，对应的波长范围覆盖日盲区，是一种新型制作日盲区紫外探测器的理想材料，成为当前的前沿研究课题。.本项目采用磁控溅射技术制备MgxZn1-xO紫外探测薄膜材料；通过改变Mg组分含量调节MgxZn1-xO薄膜的禁带宽度，使薄膜的紫外响应波段位于日盲区。研究MgxZn1-xO薄膜禁带宽度、紫外吸收边波长随薄膜中Mg含量的变化；研究磁控溅射工艺（功率、气压、速率、衬底温度、退火等）对薄膜表面形貌、晶粒尺寸、晶粒结构和紫外光响应特性的影响；明确MgxZn1-xO紫外探测器的响应度、响应时间和量子效率等光电特性与材料组分和制备工艺的关系；明确MgxZn1-xO薄膜载流子的传输特性。