MgxZn1-xO薄膜材料制备及紫外探测性能研究

基本信息
批准号:50772016
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:张希艳
学科分类:
依托单位:长春理工大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘全生,米晓云,卢利平,柏朝晖,王晓春,王能利,宋博,卢歆
关键词:
MgxZn1xO薄膜带隙调节紫外探测日盲区
结项摘要

日盲区(200~300nm)紫外探测器在导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测以及医疗等领域具有广泛的应用前景。MgxZn1-xO是一种宽带隙半导体材料,随Mg组分的变化其带隙在3.3~7.8ev之间连续变化,对应的波长范围覆盖日盲区,是一种新型制作日盲区紫外探测器的理想材料,成为当前的前沿研究课题。.本项目采用磁控溅射技术制备MgxZn1-xO紫外探测薄膜材料;通过改变Mg组分含量调节MgxZn1-xO薄膜的禁带宽度,使薄膜的紫外响应波段位于日盲区。研究MgxZn1-xO薄膜禁带宽度、紫外吸收边波长随薄膜中Mg含量的变化;研究磁控溅射工艺(功率、气压、速率、衬底温度、退火等)对薄膜表面形貌、晶粒尺寸、晶粒结构和紫外光响应特性的影响;明确MgxZn1-xO紫外探测器的响应度、响应时间和量子效率等光电特性与材料组分和制备工艺的关系;明确MgxZn1-xO薄膜载流子的传输特性。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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