高负性向列相液晶的合成及其电光性能的研究

通过本项目半导体及微结构中复杂缺陷的微观理论研究，对硅中过渡金属原子与浅受主杂质原子硼构成的复合物电子结构作了系统的自洽计算，电荷分析表明构成复合物的两种杂质原子间没有发生明显的电荷转移，从而对已有的离子模型提出了质疑。采用recursion 方法，在已有的优化的数学基础上，通过优化程序，首次处理位错核中有一定位的体系，得以实验上看到的位错束缚态很可能是位错核中的空位产生的这一崭新的但尚待实验验证的结论。此外，对与半导体表面过程有关的复杂缺陷开始了实验上和理论上的探讨。