针对SIMOX-SOI材料制备中的关键基础物理问题拟开展高效率高品质氧离子束的产生、输运、高温靶室的优化设计、非晶化和新表征技术的应用研究,以改善氧离子注入的均匀性、减少金属杂质污染和表面硅单晶的位错密度及埋层二氧化硅中分凝物密度,并发展新的物理测试诊断方法,为解决高品质SOI材料制备中的关键物理问题打下基础。.
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数据更新时间:2023-05-31
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