新型闪烁晶体SrI2:Eu光输出不均匀性和能量分辨率恶化探究

基本信息
批准号:11075147
项目类别:面上项目
资助金额:36.00
负责人:秦来顺
学科分类:
依托单位:中国计量大学
批准年份:2010
结题年份:2013
起止时间:2011-01-01 - 2013-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:史宏声,平广兴,魏钦华,林坚,杨芸芸
关键词:
光输出不均匀性晶体生长闪烁晶体SrI2:Eu能量分辨率
结项摘要

新型闪烁晶体SrI2:Eu具有超高的光输出和极低的理论能量分辨率,非常适合于安检设备和核辐射探测计量,应用前景广阔。然而大尺寸SrI2:Eu晶体或晶体末端能量分辨率较差,系晶体光输出不均匀性引起,但具体影响因素仍然未知,严重阻碍着该晶体的实际应用。.本项目拟采用真空坩埚下降法生长SrI2:Eu晶体,运用各种分析测试手段,研究激活离子、杂质和缺陷在SrI2:Eu晶体中的分布,研究激活离子、杂质和缺陷对SrI2:Eu晶体光输出均匀性和能量分辨率的影响,从而阐明影响SrI2:Eu晶体光输出均匀性和能量分辨率的因素和作用机理,为生长具有良好均匀性和能量分辨率的SrI2:Eu晶体提供依据,为SrI2:Eu闪烁晶体在探测技术中的应用和研究奠定良好的基础。. 本项目拟解决的关键科学问题:导致SrI2:Eu晶体的光输出不均匀性和能量分辨率变差的原因。

项目摘要

按照研究计划要点,项目承担者进行了项目预定的全部研究内容,本项目采用了国产无水高纯碘化物,进行了大尺寸、高质量SrI2和SrI2:Eu晶体的坩埚下降法生长,获得了尺寸为Φ10×70mm3透明、无宏观缺陷的SrI2晶体和Φ20×60mm3的SrI2:Eu晶体,研究了晶体的生长工艺参数对晶体生长光学质量的影响,发现了晶体沿[001]自发生长的习性,晶体生长的缺陷主要为开裂和气孔,提出了消除的措施,研究了Eu2+在晶体中的分布和杂质缺陷在晶体中的分布,发现主要杂质元素集中于晶体生长顶端,而少数杂质元素在晶体中较为均匀分布,Eu2+在晶体中的分凝系数为1.0706,分布较均匀,另外发现Eu2+的存在会产生强烈的辐射陷阱效应,对发光光谱、发光强度、衰减时间都产生了很重要的影响。另外,对生长的碘化锶晶体进行了较为详细的测试评价。. 本项目正式发表学术论文11篇,接收论文2篇,参加会议报告1次,墙报2次;授权发明专利1项,申请发明专利1项。邀请美国加州理工学院朱人元教授来访1次,参加国内会议3次(9人次)。培养研究生共5名,已毕业1名,即将毕业3名,在读1名。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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