新型CMR材料单晶制备及其中子散射研究
基本信息
批准号：59972005
项目类别：面上项目
资助金额：12.00
负责人：鲜于泽
学科分类：
依托单位：东北大学
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李国庆,李德仁,李际周,李竹起,王强,孙克,郝丽洁,李海英
关键词：
中子散射特大磁阻材料单晶生长
结项摘要
现有特大磁阻材料按导电性质可分为孔穴导电型和电子导电型两大类。本申请选择两类材料的典型成分，充分发挥我们拥有的日本产“高压单晶炉”优良性能，制备高质量大尺寸的单晶为首要研究目标。. 然后用中子散射、X光衍射、XPS以及振动样品磁强频认执馐允侄尾饬可帜芰可ⅰ⑸犹芏取⒌缱犹芏取⒋耪褡幽芰可⒁约白孕峁梗陨游行模直鹧芯可佑氲缱印⒋耪褡印⒆孕湎嗷プ饔茫岢鲂碌奈锢砟Ｐ停云诓鞑卮蟠抛栊вΦ奈锢肀局省?.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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