半导体光子存储的物理和器件研究
基本信息
批准号：60076026
项目类别：面上项目
资助金额：12.00
负责人：杨富华
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2000
结题年份：2002
起止时间：2001-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郑厚植,赵建华,王晓东,唐艳,陈京好
关键词：
半导体激子光子存储器
结项摘要
研究电场下的激子光学性质，激子在量子阱和量子点复合结构中的.空间分离行为，进一步芯堪氲继骞庾哟娲⒌奈锢砘啤Ｌ剿餍滦?光存储器构构，制备量子阱量子点复合结构光子存储器件，研究提高光子存储时间的途径和快速存取光子信号的实验方案。通过上述.研究Ｍ谖蠢慈馔缂肮饧扑慊械幕∑骷凶灾鞯闹恫?权发明。......
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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