CALPHAD技术与精确实验相结合研究了Ni—SS—Ga(In)系相图和热力学性质,选择了能马ⅢA/VA族半导体化合物热力学稳定共存的镍基金属间化合物。X射线衍射、EPMA、热学分析等手段测定Ga-Ni系及Ni-Sb-Ga系固线下相关系,确定化合物的晶体结构;等蒸汽压法测定Ni-Sb-In条图相Sb组元活度;评估和优化了Ga-M(M=In,Sb,Pb)二元系热力学性质和相图,并得到热力学自洽的结果;计算了Ga-In-Sb三元系相图,与实验测定值吻合甚好。研究结果表明,在所研究温度范围内,化合物GaNi、Ga9Ni13、Ga3Ni5和GaNi3可与三元化合物Ni3GaSb达到热力学稳定共存;600℃时三相区内,化合物GaNi与GaSb能达到平衡共存。上述结论,为镍基金属接触材料的研制提供重要的热力学依据。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
一种光、电驱动的生物炭/硬脂酸复合相变材料的制备及其性能
气相色谱-质谱法分析柚木光辐射前后的抽提物成分
温和条件下柱前标记-高效液相色谱-质谱法测定枸杞多糖中单糖组成
基于二维材料的自旋-轨道矩研究进展
生物炭用量对东北黑土理化性质和溶解有机质特性的影响
锑化镓及其固溶体的MOVPE热力学分析与生长
硅-钛-钴,硅-钛-镍系相图及硅金属间化合物研究
锑化铟量子阱的自旋霍尔效应研究
铝铟砷-镓铟砷调制掺杂场效应管基础研究