“带隙修正“与(Ａ1-xＢx)C膺二元系电子结构计算

利用LDF-SLater过渡态理论计算原子系统的激活能得到与实验一致的结果，对晶体CaS禁带宽度Eg计算由LDF的2.4eV扩到3.2eV，缩小了与实验值4.0eV的差距。利用“超元胞统计法”对（A1-xBx）C型膺二元系混晶材料的电子结构随组分X的变化得到与实验一致的结果。并进一步计算基态性质（包括力学，电学、光学性质及稳定性）随组分的变化与实验相符，表明这一方法是有效的。特别是对BaBiO3，已有的计算都是金属而实际是半导体。利用大型超元胞模二种Bi价态进行计算的结果是半导体。利用超大型元胞进而横凝晶体中点缺场对电子结构的影响，从分波态密度和电核密度在掺杂前后的变化，可以提供计多与缺陷有关的信息。对GaAS中反位砷从及ZnS：Cu；Cl中发光中心的计算与实验相符。