硅基超薄介质膜的扫描探针显微术研究

本项目利用超高真空扫描探针显微技术从原子尺度上进行硅基器件超薄栅介质膜的制备，结构和电学特性研究。半导体工业超大规模的集成技术的飞速发展，造成器件尺寸不断减小，栅介质层厚度不断下降，使得二氧化硅介质层本身的质量及与衬底的界面效应变得非常重要。深入研究这些现象，对微电子器件的发展具有重要的指导意义。