高灵敏度的MOEMS磁场传感器研究
基本信息
批准号：60572022
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：吴亚明
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李四华,彭显楚,赵本刚,刘玉菲,高翔,万助军
关键词：
高灵敏度MOEMS磁场传感器信号检测方MEMS技术光纤传感器
结项摘要
高灵敏度磁场传感器在诸多领域有着重要、广泛的应用，微型化、低功耗和低成本成为其必然的发展趋势，目前的各种技术方案并不能很好地满足应用的需求。本研究提出了原理为微小磁性薄膜在均匀外磁场中受到磁力矩发生扭转来敏感外磁场的新颖的高灵敏度MEMS磁场传感器，并利用对角度非常敏感的双光纤准直器对扭转角度进行检测，灵敏度可达nT量级。该方案结构简单，避免了微磁通门传感器中的激励、拾取线圈，大大了降低器件功耗，
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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