大功率超高速半导体开关新结构及关键工艺技术的研究

基于四层两端pnpn结构与晶体管多单元并联，采用多元胞模型，应用超薄发射极理论，通过优化设计、传统工艺，将电子空穴注入引起的晶闸管式开启转化为雪崩击穿、实现纳秒级开通。RSD电流上升率达10（3）A/μs，是所有大功率器件中di/dt最大的，是一种全新概念的器件。可广泛用于脉冲功率技术领域以取代引燃管、闸流管，具有重要发展前景和显着经济效益。