采用先进材料合成技术制备出不同组成、尺寸、形貌和界面的II-VI族半导体一维结构,利用时间分辨激光光谱、微区Raman光谱、近场光学和共聚交显微光谱技术研究这些一维纳米结构的电子结构、各种元激发间的耦合、发光和受激发射性质,研究其中光子、激子、声子的传播行为,研究不同边界下的相互转换和集体跃迁(cooperative transition)效应,探索室温下和低温下的热传播规律及其对其它元激发的影响
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数据更新时间:2023-05-31
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