晶态SiC薄膜的制备及其光学性质的研究

用脉冲激光淀积和磁控溅射淀积、离子注入等方法制备出晶态碳化硅薄膜。研究了晶态碳化硅多型体之间的转变及转变条件的控制，由此制备出单一晶型的4H碳化硅薄膜。进一步改善工艺条件，初步制备出单晶4H碳化硅薄膜。同时用各种现代分析方法研究了晶态碳化硅薄膜的晶体结构、显微结构、化学组成、化学态等与制备条件的关系。据此优化了工艺参数。同时给出了一系列精确的实验数据。研究了晶态SiC薄膜的光学性质。对具有择优取向的晶态SiC薄膜，实现了430nm的蓝光发射。其发射归属于4H-SiC电子跃迁的机制。单晶4H-SiC薄膜在377nm和560nm产生光发射。377nm为4H-SiC带间跃迁复合发光，560nm为激子复合发光。证明膜纯度很高。通过掺杂可获宽广频段的发光。