本项目主要研究金刚石的场发射特性及应用,研究硅衬底上金刚石薄膜厚度、非晶碳成分对其场发射特性的影响,发现金刚石薄膜存在一最佳厚度,这个厚度的金刚石薄膜均发射阈值电场低、发射电流大;适当含量的非晶碳可使金刚石既有较低的阈值电场、又有较大的发射电流。低成核密的金刚石薄膜场发射阈值电场较低。采用酸处理金刚石表面,可以有效地改善金刚石场发射特性。N离子注入金刚石薄膜可以引起两个阶段的发射,在前一阶段剂量越高、阈值电场越低,后一阶段则阈值电场越高。用一步湿法刻蚀方法制备了尖端曲率半径为15nm的微尖阵列。并在其上生长了金刚石包层,使硅微尖大大降低了阈值电场,并在较低的真空条件下仍有良好的发射稳定性。
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数据更新时间:2023-05-31
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