聚合物前驱体制备纳米/纳米型Si3N4/SiC复相陶瓷和SiCN晶须的研究
基本信息
批准号：50372031
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：谢志鹏
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：江尧忠,周振君,杨为佑,马景陶,罗杰盛
关键词：
原位生长聚合物前驱体Si3N4/SiC纳米复相陶瓷SiCN晶须
结项摘要
采用聚合物前驱体原位生长新工艺，低温烧结制备出晶粒尺寸小于100nm的纳米/纳米型Si3N4/SiC复相陶瓷，揭示纳米Si3N4、SiC晶从前驱体热解产物非晶态SiCN中生长的机理，系统分析和评价纳米/纳米型Si3N4/SiC复相陶瓷的力学性能和高温特性，为其工业应用提供基础数据和关键技术。同时发展一种陶瓷晶须制备新工艺，通过Si-C-N环状结构聚合物前驱体的催化热解原位生长出SiCN三元系陶瓷晶须，探索和揭示不同催化剂诱导不同形貌SiCN晶须的生长规律，分析测试晶须的物理化学特性，为其应用提供科学依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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