获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究

开发适合规模制造的低缺陷密度GaN衬底材料工艺对发展GaN半导体器件产业至关重要。我们的研究是采用一种全新的思路探索新的GaN薄膜生长新技术和新工艺，使得GaN薄膜表面的位错密度整体并显著降低。该方法是通过在氢化物气相外延（HVPE）生长过程中原位腐蚀GaN表面位错后再外延的横向外延新方法。该新型外延技术将被应用到我们的具有自主知识产权的大尺寸高质量GaN自支撑衬底技术上，有望获得低缺陷位错密度（104cm-2，甚至有可能达到零位错）的GaN自支撑衬底，对于实现白光照明工程的目标及制备高性能GaN基光电和电子器件具有很重要的科学和实用意义。