硅基片表面离子注入改性对碳纳米管生长的影响

本项目拟采用离子束注入的方法，对硅基片进行表面化学改性，研究不同注入条件（如注入离子种类、能量、剂量、注入温度等）改性对碳纳米管在硅基片表面上的生长的影响规律；利用离子束注入改性技术，结合刻蚀技术和图形化技术，在硅基片上制备出具有不同化学特性的表面区域，研究生长动力学条件对生长在不同区域内的碳纳米管的生长的影响规律；通过澄清表面改性以及动力学条件对碳纳米管的生长的影响机制，优化各种实验条件和参数，发展新的碳纳米管定向生长技术。.本项目是在申请者以前观察到的碳纳米管的"基片选择"生长现象基础上提出的。本项目研究将离子束表面改性技术引入纳米材料研究领域，有助于深入研究碳纳米管的生长机制等基本科学问题，以及发展新的碳纳米管多维定向生长技术，以适应器件化对碳纳米管定向生长技术的要求。