AlN晶体生长

本项目采用物理气相输运（PVT）法开展2英寸AlN晶体生长研究工作。研究关键生长参数对晶体成核、晶体形态、结晶质量的影响规律，获得生长大尺寸、高质量AlN晶体的关键生长技术。具体主要从原料、坩埚材料、籽晶、温场和压力五个方面进行攻关：研究原料提纯技术以获得高纯原料；研究适合生长AlN晶体的坩埚材料，既要避免坩埚带来的杂质进入晶体中，又要具有较低的成本；研究籽晶自我繁衍技术和a向c向籽晶交互生长技术来降低位错密度，抑制AlN极性畴翻转；研究适于生长大尺寸AlN晶体的生长温度、温度梯度；研究生长室中氮气压力对晶体生长的影响。此外，开展满足外延要求的AlN晶片加工技术以及AlN晶体的缺陷、结构和物性研究。.AlN是制作GaN基半导体器件的理想衬底材料。但是，国内对于AlN晶体生长的研究起步较晚，基础薄弱，PVT法生长AlN晶体的基本规律亟待明确。本项目将为解决AlN单晶生长的关键问题打下基础。