成功制备出p型透明氧化物半导体(TOS)薄膜工作,是基于"透明"和"载流子可控"的特性、而能够完全实现电子线路透视性的进程中又一个重要的里程。其中,p型镧铜氧硫化物TOS薄膜因为具有比较优异的光电综合性质而受到重视。外延生长高质量p型镧铜氧硫化物TOS薄膜是制备和应用高性能透明光电器件的需要,与之密不可分的异质衬底及其特性的研究工作已经成为当务之急,在国际上还完全缺乏相关研究的情况下,结合我们已经具备的研究条件、工作经验和知识积累,以衬底可能与"透明"和"透明应用"相匹配为基点,及时从异质外延衬底、中间层以及制备高质量p型TOS薄膜依赖的特定沉积技术的综合研究入手,在探明p型镧铜氧硫化物TOS薄膜异质外延衬底的影响规律和作用机理的基础上,更多地探索与p型TOS薄膜的实际用途和薄膜结构相吻合的衬底必要参数,从而在各类不同结构与性质的异质衬底上拓展p型TOS薄膜透明光电器件的应用领域。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
Inclusive production of fully-charmed 1+- tetraquark at B factory
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
早孕期颈项透明层增厚胎儿染色体异常的临床研究
黑色素瘤缺乏因子2基因rs2276405和rs2793845单核苷酸多态性与1型糖尿病的关联研究
Low-Order Webpage Layout in Online Shopping Facilitates Purchase Decisions: Evidence from Event-Related Potentials
透明氧化物半导体CuAlO2薄膜外延生长及其p型掺杂研究
基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究
新型透明导电氧化物外延薄膜、异质结构及其p型导电机制的研究
半导体衬底上FeSe薄膜的外延生长及界面超导