异质外延生长p型镧铜氧硫化物透明半导体薄膜的衬底及其特性研究
基本信息
批准号：60576012
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：严辉
学科分类：
依托单位：北京工业大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张汉林,侯育冬,李坤威,杜永胜,魏金生
关键词：
中间层p型透明半导体薄膜衬底异质外延生长
结项摘要
成功制备出p型透明氧化物半导体（TOS）薄膜工作，是基于"透明"和"载流子可控"的特性、而能够完全实现电子线路透视性的进程中又一个重要的里程。其中，p型镧铜氧硫化物TOS薄膜因为具有比较优异的光电综合性质而受到重视。外延生长高质量p型镧铜氧硫化物TOS薄膜是制备和应用高性能透明光电器件的需要，与之密不可分的异质衬底及其特性的研究工作已经成为当务之急，在国际上还完全缺乏相关研究的情况下，结合我们已经具备的研究条件、工作经验和知识积累，以衬底可能与"透明"和"透明应用"相匹配为基点，及时从异质外延衬底、中间层以及制备高质量p型TOS薄膜依赖的特定沉积技术的综合研究入手，在探明p型镧铜氧硫化物TOS薄膜异质外延衬底的影响规律和作用机理的基础上，更多地探索与p型TOS薄膜的实际用途和薄膜结构相吻合的衬底必要参数，从而在各类不同结构与性质的异质衬底上拓展p型TOS薄膜透明光电器件的应用领域。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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