SiC一维纳米材料――纳米线(棒、带、链或同轴电缆等)及阵列,作为第三代电子材料及结构材料在光、电、磁及复合材料增强相等方面均具有广泛的应用前景。本项目首次提出一种低成本合成大量SiC一维纳米材料及SiC纳米线阵列的新方法-气相化学反应法,并对其形成机理和新颖特性进行探索,为SiC一维纳米材料的规模化生产及应用奠定基础。主要研究内容包括:1)整体试验方案设计,包括原料选择及预处理,自制反应室设计及制造,各工艺参数的优化及其对产物形貌的影响规律。2)通过对产物组织及微观结构的表征,建立理论模型,研究形成机理。3)利用各种先进测试手段探索其新颖特性,尤其是电场发射特性。本项目的主要特点是:1)研究出可在较低温度及短时间内合成出大量SiC一维纳米材料及阵列的新方法,该方法成本低具有产业化前景和一定的适普性;2)研究生长机理,完善一维纳米材料的生长理论;3)探索新颖特性,开发其应用领域。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
EBPR工艺运行效果的主要影响因素及研究现状
濒危植物海南龙血树种子休眠机理及其生态学意义
机电控制无级变速器执行机构动态响应特性仿真研究
四川盆地东部垫江盐盆三叠系海相钾盐成钾有利区圈定:地球物理和地球化学方法综合应用
制冷与空调用纳米流体研究进展
单壁纳米碳管的低成本合成、生长机理及其物性研究
液态金属浮力下硅纳米管和纳米线的大量制备、生长机理及相关物性研究
氧化硅单晶纳米线及阵列的低温合成机理、组装和基本物性
一维纳米结构异质结及其阵列的合成与物性研究