大量SiC一维纳米材料及阵列的低成本合成、机理及物性研究

基本信息
批准号:50572041
项目类别:面上项目
资助金额:29.00
负责人:李镇江
学科分类:
依托单位:青岛科技大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:仇汝臣,孟阿兰,史俊友,高伟,张金丽,郭峰
关键词:
特性机理阵列低成本合成方法SiC一维纳米材料
结项摘要

SiC一维纳米材料――纳米线(棒、带、链或同轴电缆等)及阵列,作为第三代电子材料及结构材料在光、电、磁及复合材料增强相等方面均具有广泛的应用前景。本项目首次提出一种低成本合成大量SiC一维纳米材料及SiC纳米线阵列的新方法-气相化学反应法,并对其形成机理和新颖特性进行探索,为SiC一维纳米材料的规模化生产及应用奠定基础。主要研究内容包括:1)整体试验方案设计,包括原料选择及预处理,自制反应室设计及制造,各工艺参数的优化及其对产物形貌的影响规律。2)通过对产物组织及微观结构的表征,建立理论模型,研究形成机理。3)利用各种先进测试手段探索其新颖特性,尤其是电场发射特性。本项目的主要特点是:1)研究出可在较低温度及短时间内合成出大量SiC一维纳米材料及阵列的新方法,该方法成本低具有产业化前景和一定的适普性;2)研究生长机理,完善一维纳米材料的生长理论;3)探索新颖特性,开发其应用领域。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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