离子束辅助沉积制备涂层导体缓冲层双轴织构的形成机制研究

基本信息
批准号:50802047
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:19.00
负责人:史锴
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王志,顾晨,刘梦林,姚卫超,冯峰,陈欢
关键词:
双轴织构缓冲层涂层导体离子束辅助沉积
结项摘要

YBCO 涂层导体是目前高温超导材料发展的重要方向之一,缓冲层的制备是制作涂层导体的重要环节;制备缓冲层的各种工艺中,离子束辅助沉积(IBAD)技术具有独特的优势。本项目拟研究在金属衬底上用IBAD技术制备涂层导体缓冲层双轴织构的形成机制。通过改变辅助离子束的参数、衬底的状况和薄膜厚度等方面的因素制备钇稳定的氧化锆(YSZ)和氧化镁(MgO)薄膜,研究薄膜的晶体取向特性和IBAD各种工艺参数之间的定量关系;引入晶体生长动力学的观点,解释金属基带上IBAD薄膜生长的微观机制;构建理论模型并进行数值模拟。本项目在研究内容和方法上都有创新意义,并且完成本项目的实验和人员条件已经具备。本项目的实施和完成将对涂层导体的发展和高温超导体的应用,具有重大的科学意义和实用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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