半导体表面活性剂理论研究

表面应力是决定表面结构的重要因素，发展了基于格林函数的半经验方法计算表面应力的方法，研究了As和Sb作为表面活性剂在Si（001）表面生长过程中的作用和影响。研究发现：由于As和Sb的原子半径的差异，这两种表面活性剂在Si（001）表面引起的表面应力有较大的差异。Sb在Si（001）表面会导致较大的表面应力各向异性，而太大的表面应力各向异性必定导致较大的表面结构变化，即引起antiphasedomain boundaries(APBs)。我们的研究解释了Sb/Si（001）表面不存在2x1的有序结构的原因，并预言在这种APBs附近容易生长量子线和量子点。