低速高电荷态离子束辐照引起的n型氮化镓晶体薄膜发光特性变化研究

本项目的研究内容为：.(1)低速126Xe q+（q=24,26,28,30）离子束以不同入射角度辐照n型GaN晶体薄膜，研究其发光特性随入射角度的变化；（2)低速126Xe q+（q=24,26,28,30）离子束以不同剂量辐照n型GaN晶体薄膜，研究其发光特性随剂量的变化；(3)低速、不同电荷态的40Arq+（10≤q≤17）和126Xe q+（18≤q≤30）离子束辐照n型GaN晶体薄膜，研究其发光特性随入射离子电荷态（即库仑势能）的变化。.通过上述研究工作，给出n型GaN晶体薄膜发光特性随辐照离子种类、电荷态、剂量和入射角度的变化关系，进而得到高电荷态离子在n型GaN晶体薄膜近表面层产生的辐照缺陷对带隙间能级精细结构和跃迁的影响，为GaN基光学器件发光性能的改善提供必要的物理信息，具有重大意义。