碘化汞是一种具有潜在优良性能的辐射探测材料。目前,尽管在生长技术方面进行了深入研究,发展了多次升华和微重力生长等先进方法,但由于对碘化汞中缺陷缺乏深入的了解,导致其性能远未达到预期的水平。因此,深入研究碘化汞中的晶体缺陷及其与探测性能的关联,进而在生长过程中有效地控制它,是大幅提高碘化汞辐射探测性能的关键。目前,国际上尚无碘化汞超快相干光谱研究的报道。本项目首次采用超快相干光谱学方法研究碘化汞中的激子产生、复合及能量驰豫,相干声子的能量驰豫等超快动力学过程,研究缺陷性质及其对碘化汞探测性能的影响,为进一步控制与提高HgI2生长质量,提高其探测性能提供有力的依据。本课题发展的研究方法也将对超快光谱学研究其它半导体材料和人工量子材料具有重要参考价值。
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数据更新时间:2023-05-31
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