键合技术是集成光电子领域中一项重要的工艺手段,利用键合技术组合新结构材料具有极大的自由度,可以更好地利用各种材料的不同电学、光学特性,为器件设计提供更为广阔的设计空间。目前,长波长的光波导、探测器、光调制器已实现了与硅微电子电路的混合集成。而长波长InP基光电器件的波长处于石英光纤硅基光波导的低损耗窗口,因此InP基材料与Si的直接键合成为键合领域的又一研究热点。目前关于InP/Si的键合研究及其
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数据更新时间:2023-05-31
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