Mn与GaAs（110）表面相互作用的第一性原理研究
基本信息
批准号：10447132
项目类别：专项基金项目
资助金额：2.00
负责人：曹觉先
学科分类：
依托单位：中国科学院理论物理研究所
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：
关键词：
稀磁半导体GaAs(110)表面磁性自旋极化
结项摘要
本项目主要采用第一性原理软件包VASP考察单个Mn原子、两个Mn原子及Mn-Dimer在GaAs(110)表面的驰豫结构，研究Mn原子在GaAs(110)表面的扩散行为，考察它们之间相互作用及电子态和磁性，建立起其原子结构、电子态以及磁性的相互关联，深入理解稀磁半导体器件铁磁性的物理本质；研究电子的不同自旋取向对磁性和电子态的影响规律；研究Mn与GaAs清洁表面的相互作用及其扩散，将有利于弄清楚并
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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