Mn与GaAs(110)表面相互作用的第一性原理研究

基本信息
批准号:10447132
项目类别:专项基金项目
资助金额:2.00
负责人:曹觉先
学科分类:
依托单位:中国科学院理论物理研究所
批准年份:2004
结题年份:2005
起止时间:2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:
关键词:
稀磁半导体GaAs(110)表面磁性自旋极化
结项摘要

本项目主要采用第一性原理软件包VASP考察单个Mn原子、两个Mn原子及Mn-Dimer在GaAs(110)表面的驰豫结构,研究Mn原子在GaAs(110)表面的扩散行为,考察它们之间相互作用及电子态和磁性,建立起其原子结构、电子态以及磁性的相互关联,深入理解稀磁半导体器件铁磁性的物理本质;研究电子的不同自旋取向对磁性和电子态的影响规律;研究Mn与GaAs清洁表面的相互作用及其扩散,将有利于弄清楚并

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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