高分辨率X射线相位成像单晶薄膜的制备及性能研究

基本信息
批准号:50402008
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:28.00
负责人:赵广军
学科分类:
依托单位:中国科学院上海光学精密机械研究所
批准年份:2004
结题年份:2007
起止时间:2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李红军,何晓明,庞辉勇,介明印,张俊计,曾雄辉
关键词:
硅酸镥钇闪烁体液相外延生长闪烁单晶薄膜相位成像
结项摘要

由闪烁单晶薄膜荧光屏、显微光学系统和CCD器件构成的X射线闪烁探测器具有微米或亚微米空间分辨率、快速在线探测等特点,在相位衬度成像、全息成像、时间分辨和计算机微断层成像(μCT)等领域具有广阔的应用前景。闪烁单晶薄膜的探测量子效率(DQE)是表征X射线探测器信噪比的关键因素。本项目拟采用液相外延技术制备铈离子掺质硅酸镥钇闪烁单晶薄膜(Ce:LuYSO),通过调节薄膜中Lu/Y组分配比并通过Eu、Tb等稀土离子与Ce离子共掺质,研究薄膜形貌及其发光行为,以获得具有较高光学质量和较高探测量子效率的闪烁单晶薄膜,以满足高分辨率X射线成像技术的需要。该项目的立项研究不仅对亚微米显微成像具有重要的科学意义,而且对加强国际合作、提高我国在X射线相位成像领域中的研究和开发能力也具有十分重要的现实意义。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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