超声分子束注入等离子体改善约束的机理研究

在HL-1M装置中超声分子束注入深度可达15cm，加料效率较常送气增加一倍，并引起密度峰化，密度峰化系数可达1.67，而常规送气则在14左右。多脉冲超声分了束注入使等离子体电子密度呈阶梯形上升。获得HL-1M装置最高电子密度8.2×10（19）m（-3）。等离子体能量约束时间增加10-30%。还能改变等离子体电流密度的分布。形成负剪切位形。注入深化和由引起的能量约束改善的机理已有两种解释：简单的集体注入模型和静电双层屏蔽模型。该项技术已被国内外核聚变界所接受，国内同行科学院等离子体所已采用该技术并取得成果。国外多个研究所愿意试用或合作应用。