Y掺杂SnO薄膜及其p型沟道薄膜晶体管研究

电学性能调控是p型氧化物半导体材料的关键科学问题。本项目用电子束蒸发结合后续退火工艺制备Y掺杂的SnO这一新型p型氧化物半导体薄膜，实现SnO薄膜的空穴浓度在较宽的范围内可控调制，阐明Y掺杂调控SnO导电特性的物理机制，探索它在p型沟道薄膜晶体管中的应用，掌握Y掺杂水平-沟道层电学性能-薄膜晶体管关键性能之间的影响和作用关系。预期获得空穴浓度大于5×1016 cm-3、电阻率小于50 Ωocm 的Y掺杂SnO薄膜，并制备出场效应迁移率大于0.5 cm2V-1s-1，开关比大于103的p沟道薄膜晶体管。本项目研究具有一定的创新性，其一在制备纯相SnO薄膜方面拥有专利技术，其二本项目将阐明掺杂水平-SnO空穴浓度耦合对应关系，揭示SnO半导体-金属转变温度随空穴浓度的变化规律。通过本项目研究，对p型氧化物半导体材料的研究提供新的思路，并为研发、构筑电子学器件提供材料基础和必要的理论探索。